上海伯东KRI离子源应用

2022-04-18 2580

核心提示：KRI离子源应用上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.常见的工

KRI 离子源应用
上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.

常见的工艺应用	简称
In-Situ Substrate Preclean 基片预清洗	PC
Ion Beam Modification of Material & Surface Properties 离子束材料和表面改性 - Surface polishing or smoothing 表面抛光 - Surface nano structures and texturing 改变纳米结构和纹理 - Ion figuring and enhancement 离子刻蚀成形 - Ion trimming and tuning 离子表面优化 - Surface activated bonding	IBSM SAB
Ion Beam Assisted Deposition 离子束辅助沉积	IBAD
Ion Beam Etching 离子蚀刻 - Reactive Ion Beam Etching 反应离子蚀刻 - Chemically Assisted Ion Beam Etching 化学辅助离子蚀刻	IBE RIBE CAIBE
Ion Beam Sputter Deposition 磁控溅射辅助沉积 - Reactive Ion Beam Sputter Deposition 反应离子磁控溅射沉积 - Biased Target Ion Beam Sputter Deposition 偏压离子束磁控溅射	IBSD RIBSD BTIBSD
Direct Deposition 直接沉积 - Hard and functional coatings 硬质和功能膜	DD

作为一种新兴的材料加工技术, 美国 KRI 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助客户获得理想的薄膜和材料表面性能. 行业涉及精密光学, 半导体制造, 传感器, 医学等多个领域.

	精密薄膜控制薄膜为若干单层膜		半导体可重复使用的金属涂层附着力
	蚀刻晶元刻蚀均匀性和临界几何尺寸		MEMS, 传感器和显示器表面优化
	精密光学薄膜致密稳定, 折射率优化, 吸收率低		磁数据存储金属和介质多层堆叠中纳米特性的各向异性和均匀腐蚀

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

标签： 离子源

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