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Morfis Semiconductor在CES 2016上推出全球最小的全整合CMOS單芯覆晶手機射頻前端系列

   2015-12-15 CN-INFO21290
核心提示:Morfis Semiconductor的系列產品达到並超越砷化鎵的性能水準,無需包络跟踪(ET) 加州爾灣--(美國商業資訊)--經過兩年的反復開發和測試,Morfis Semiconductor已準備好華麗起航,將在CES 2016上推出全球最小的全整合CMOS單晶片、單芯覆晶手機射頻前端解決方案系列。 Morfis Semiconductor的單芯CMOS架構支持手機產業全部的2G/3G/4G LTE頻段,但不會犧牲效率或線性。 在CES 2016上,Morfis將展示其最新突破...

Morfis Semiconductor的系列產品达到並超越砷化鎵的性能水準,無需包络跟踪(ET)

加州爾灣--(美國商業資訊)--經過兩年的反復開發和測試,Morfis Semiconductor已準備好華麗起航,將在CES 2016上推出全球最小的全整合CMOS單晶片、單芯覆晶手機射頻前端解決方案系列。

Morfis Semiconductor的單芯CMOS架構支持手機產業全部的2G/3G/4G LTE頻段,但不會犧牲效率或線性。

在CES 2016上,Morfis將展示其最新突破性技術並示範其改變產業格局的全整合CMOS 多模多频手机功放和射频前端,該前端系列採用其獨家擁有的專利技術。

公司即日起針對早期試用客戶提供樣品,量產計畫於2016年第二季啟動。

關於Morfis Semiconductor, Inc.

Morfis Semiconductor總部位於加州爾灣,是一家開發全整合、單晶片、單晶粒射頻前端解決方案的領先無晶圓廠半導體公司。

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

Contacts

Morfis Semiconductor, Inc.
Michael Lee, 949-656-8890
策略行銷總監
marketing@morfsemi.com

 
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