– 采用最新一代工艺，具有低导通电阻和扩大的安全工作区域 –
日本川崎--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")发布了一款100V N沟道功率MOSFET产品“TPH3R10AQM”。该产品采用了东芝最新一代工艺U-MOS X-H制造，面向用于数据中心和通信基站的工业设备，目标应用包括这些工业设备供电线路上的开关电路和热插拔电路[1]。新品即日起开始发货。
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TPH3R10AQM的最大漏源电阻仅有3.1mΩ，达到业界领先水平[2]，比Toshiba使用前一代工艺制造的100V产品“TPH3R70APL”的电阻低16%[2]。两者相比，TPH3R10AQM将安全工作区域扩大76%[3]，使其适合在线性模式下工作。减小导通电阻并扩大安全工作区域的线性工作范围可以减少器件的并联数量。此外，其门极阈值电压范围为2.5V至3.5V，降低了由于门极电压噪声引发故障的可能性。
这款新产品采用了具备高度封装兼容性的SOP Advance(N)封装。
Toshiba将继续扩大能够通过减少损耗提高电源效率，并且有助于降低设备功率消耗的功率MOSFET产品线。
应用
- 通信设备的供电，如数据中心和通信基站的设备
- 开关电源（高效DC-DC转换器等）
特点
- 业界领先的[2] 出色低导通电阻：RDS(ON)=3.1mΩ（最大值）(VGS=10V)
- 宽安全工作区域
- 高沟道温度等级：Tch（最大值）=175°C
注释：
[1] 在设备运行时，该电路无需关闭系统就可以控制元件和系统的连接与断开。
[2] Toshiba 2023年6月的调查结果。
[3] 脉冲宽度：tw=10ms，VDS=48V
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主要规格 |
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（除非另有说明，Ta=25°C） |
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产品型号 |
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绝对最大额定值 |
漏源极电压VDSS (V) |
100 |
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漏极电流(DC) ID (A) |
Tc=25°C |
120 |
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沟道温度Tch (°C) |
175 |
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电气特性 |
源漏极导通电阻RDS(ON) 最大值(mΩ) |
VGS=10V |
3.1 |
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VGS=6V |
6.0 |
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总栅极电荷（栅源加栅漏）Qg典型值(nC) |
83 |
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栅极开关电荷Qsw典型值(nC) |
32 |
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输出电荷Qoss典型值(nC) |
88 |
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输入电容Ciss典型值(pF) |
5180 |
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封装 |
名称 |
SOP Advance(N) |
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尺寸典型值(mm) |
4.9×6.1 |
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样品查询和供货情况 |
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Toshiba：采用Toshiba最新一代工艺U-MOS X-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。（图示：美国商业资讯）