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Transphorm将参加2023年应用电力电子会议:展示新技术和可靠的性能

   2023-03-07 CN-INFO37990
核心提示:作为大会的银牌合作伙伴,Transphorm将展示与伟诠电子合作的新系统级封装(SiP)、生产中的客户产品、具有竞争力的氮化镓应用替代解决方案,以及旨在让与会者亲身体验先进SuperGaN技术的赠品 加州戈利塔--(美国商业资讯)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商。该公司今天宣布,作为2023年应用电力电子会议(APEC 2023)的银牌合作伙伴,将在大会上展示多种产品和解决方案,以彰显公司在广谱(...

作为大会的银牌合作伙伴,Transphorm将展示与伟诠电子合作的新系统级封装(SiP)、生产中的客户产品、具有竞争力的氮化镓应用替代解决方案,以及旨在让与会者亲身体验先进SuperGaN技术的赠品

加州戈利塔--(美国商业资讯)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商。该公司今天宣布,作为2023年应用电力电子会议(APEC 2023)的银牌合作伙伴,将在大会上展示多种产品和解决方案,以彰显公司在广谱(低功率到高功率)GaN电源转换方面的持续领导地位。欢迎与会者在3月19日至23日大会期间参观853号Transphorm展位。

今年,Transphorm将展示最近发布的WT7162RHUG24A器件。该器件采用Transphorm与伟诠电子(Weltrend Semiconductor)合作开发的新型SuperGaN®系统级封装(SiP),旨在完善其全面、灵活的场效应晶体管(FET)产品组合。该器件将为客户创造新机会,让客户能够在Transphorm的高性能GaN平台上轻松、快速地进行设计,同时减少物料清单(BOM)元件数量和总体系统成本。

Transphorm还将展示来自不同市场的全球顶级品牌客户的新型在产产品。APEC与会者还将了解到现有GaN电源应用的嵌入式和替换式解决方案。最后,公司将以抽奖方式赠送出一款消费产品。在Transphorm的GaN技术的加持下,该产品具有颠覆式的性能。

单核心平台,涵盖全部电源功率范围

Transphorm是一家领先的GaN功率半导体公司,凭借以下技术特性而拥有竞争优势:

可制造性:垂直一体化,拥有EPI设计、晶圆制造工艺和FET芯片设计能力。

 

可设计性:提供广泛采用的行业标准封装和性能封装,同时与全球知名的固件领导者(微芯科技(Microchip Technology))和硬件集成领导者(伟诠电子)合作,简化了设计。

 

可驱动性:旗下器件的驱动方式与硅器件相同,可与现成的控制器和驱动器搭配使用,同时仅需少量外部电路。

 

可靠性:在覆盖低功率到高功率的所有应用中,经超过1000亿小时的现场运行后,当前的失效率(FIT) < 0.05,处于行业领先地位。

Transphorm现支持范围极广的电源转换要求(45 W至10+ kW),涵盖极为广泛的电源应用。公司的FET产品组合包括650 V和900 V器件,以及正在开发的1200 V器件。这些器件均通过JEDEC和AEC-Q101认证,是适用于电源适配器、计算机电源设备(PSU)、广泛的工业不间断电源(UPS)和电动汽车移动系统等的一流解决方案。这些将在APEC会议上展示的客户产品组合彰显出Transphorm的SuperGaN平台具有广泛的实用性。

赠品:小而强65W惠普USB-C笔记本充电器

Transphorm展位参观者将有机会赢得一个“小而强”的基于GaN的惠普USB-C PD/PPS电源适配器。该适配器配备了两个端口,可同时进行快速充电。惠普笔记本电脑充电器使用了Transphorm的SuperGaN第四代TP65H300G4LSG——650V GaN FET。

演讲活动

Transphorm专家将发表以下演讲:

面向电动车应用的650 V1200 V高功率GaN器件
行业专题会议(IS03),3月21日上午8:30
演讲嘉宾:首席技术官办公室技术组成员Davide Bisi

 

900 V GaN – 为可靠性而生
行业专题会议(IS12),3月22日上午9:20
演讲嘉宾:工程副总裁Likun Shen博士

欢迎参观我们的展位

如需在展会期间安排与Transphorm会面,请联系我们:vipin.bothra@transphormusa.com

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者,致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000多项,在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性,以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息,请访问www.transphormusa.com。欢迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上关注我们。

SuperGaN标识是Transphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标是其各自所有者的财产。

原文版本可在businesswire.com上查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20230302005177/en/

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

联系方式:

媒体联系人:
Heather Ailara
+1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com

 
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