— 第二代器件提供更高的正向浪涌电流峰值和品质因数，现支持表面贴装型封装
东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及储存装置株式会社(TDSC)推出六款采用碳化硅(SiC)制造的肖特基势垒二极管(SBD)，以此增强了公司的二极管产品阵容。这些新产品采用表面贴装型封装。批量发货即日启动。
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截至目前，东芝电子元件及储存装置株式会社一直专注于采用直插式封装的SiC SBD。东芝电子元件及储存装置株式会社新推出的第一款采用表面贴装型封装（又称DPAK）的SiC SBD满足了客户减小系统尺寸和厚度的需求。
新的SiC SBD集成了东芝的最新第二代芯片，该芯片在正向浪涌电流峰值(IFSM)和品质因数(VF•Qc*1)方面实现了改进。这些器件提供更强的耐用度和低损耗，有助于提高系统效率和简化散热设计。
东芝电子元件及储存装置株式会社将继续拓展其产品阵容，以帮助提高系统效率并减小通信设备、服务器、逆变器和其他产品的尺寸。
特点
- 高正向浪涌电流峰值：约为额定电流的7-9.5倍，IF(DC)。
- 低品质因数(VF•Qc)：约比第一代产品低1/3，意味着高效率。
- 表面贴装型封装：支持自动贴装，帮助减小系统尺寸和厚度。
应用场合
这些新SiC SBD适合一系列广泛的商业和工业应用，包括高效率电源中的PFC电路。
- 消费品和办公产品：大屏幕4K LCD及OLED电视机、投影机、多功能复印机等的电源。
- 工业设备：电信基站、电脑服务器、太阳能微型逆变器等的电源。
- 电路：功率因数校正(PFC)电路、微型逆变器电路、切断器电路（数百瓦特或更高功率的各种电源）。
- 开关设备续流二极管。
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主要规格 |
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封装 |
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绝对最大额定值 |
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电气特性 |
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正向 |
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非重复性 |
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总耗散 |
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结 |
正向 |
|
品质 |
|
结 |
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总 |
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符号 |
IF(DC) |
IFSM |
Ptot |
Tj |
VF |
VF•Qc |
Cj |
QC |
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|
单位 |
(A) |
(A) |
(W) |
(℃) |
(V) |
(V•nC) |
(pF) |
(nC) |
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值 |
最大 |
最大 |
最大 |
最大 |
－ |
典型值 |
典型值 |
典型值 |
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|
产品/条件 |
－ |
@半正 |
Tc=25℃ |
－ |
@ IF(DC) |
－ |
@ VR= 1V |
@VR= 400V |
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|
表面贴装型DPAK/ 等效于TO-252 |
TRS2P65F |
2 |
19 |
34.0 |
175 |
1.45 （典型值）
（最大值） |
8.4 |
85 |
5.8 |
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|
TRS3P65F |
3 |
26 |
37.5 |
11.7 |
120 |
8.1 |
||||||||||||
|
TRS4P65F |
4 |
33 |
41.0 |
15.1 |
165 |
10.4 |
||||||||||||
|
TRS6P65F |
6 |
45 |
48.3 |
21.9 |
230 |
15.1 |
||||||||||||
|
TRS8P65F |
8 |
58 |
55.5 |
28.6 |
300 |
19.7 |
||||||||||||
|
|
TRS10P65F |
|
10 |
|
70 |
|
62.5 |
|
|
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35.4 |
|
400 |
|
24.4 |
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注：
[1] Qc:0.1V至400V之间的电容Cj的电荷量。
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客户垂询：
功率器件销售与营销部
电话：+81-3-3457-3933
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关于东芝电子元件及储存装置株式会社
东芝电子元件及储存装置株式会社(TDSC)集新公司的活力与集团的经验智慧于一体。自2017年7月从东芝公司完成拆分以来，我们已跻身领先的通用设备公司之列并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。
公司遍布全球的1.9万名员工同心一致，竭力实现公司产品价值的最大化，同时重视与客户的密切合作，促进价值和新市场的共同创造。我们期望基于目前超过7000亿日元（60亿美元）的年度销售额，致力于为全球人类创造更加美好的未来。
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东芝电子元件及储存装置株式会社：采用DPAK表面贴装型封装的第二代650V碳化硅肖特基势垒二极管。（照片：美国商业资讯）